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射频晶体管
BFP 640FESD H6327参考图片

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BFP 640FESD H6327

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库存:25,412(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5369
35.369
100
¥2.1583
215.83
1,000
¥1.6724
1672.4
3,000
¥1.4238
4271.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP640
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
发射极 - 基极电压 VEBO
4.8 V
集电极连续电流
50 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4-1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP640FESDH6327XTSA1 BFP64FESDH6327XT SP000890034
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB
1:¥230.5991
10:¥227.1413
参考库存:4699
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 13dB P1dB 26dBm
100:¥50.9404
300:¥47.5617
500:¥44.4881
1,000:¥41.5727
参考库存:5681
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:38322
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR transistor LdmoST plastic fam
1:¥32.8152
10:¥27.8884
100:¥24.1255
250:¥22.8938
2,500:¥16.5206
参考库存:15153
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-28V- 1GHz SE
50:¥416.9361
参考库存:38329
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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