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射频晶体管
TGF2979-SM参考图片

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TGF2979-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
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库存：6,209(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥476.408
476.408
25
¥412.0206
10300.515
100
¥356.3794
35637.94
250
¥331.4064
82851.6
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
1.8 A
输出功率
22 W
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
49 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-20
封装
Tray
配置
Single
高度
0.203 mm
长度
4 mm
工作频率
DC to 12 GHz
产品
RF JFET Transistor
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Qorvo
通道数量
1 Channel
开发套件
TGF2979-SMEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
零件号别名
1127378
单位重量
123 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF173
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
1:¥349.2378
10:¥326.57
25:¥314.2756
50:¥302.0603
参考库存:3531
QPD2793
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V
500:¥623.3306
参考库存:36947
GTVA220701FA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥878.2021
参考库存:36952
EVB9580
Skyworks Solutions, Inc.
射频晶体管
射频开发工具 Evaluation Board
暂无价格
参考库存:36957
MMRF5014H-500MHZ
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-500MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥9,605.00
5:¥9,451.4782
参考库存:2828

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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