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射频晶体管
CGHV50200F参考图片

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CGHV50200F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
17 A
输出功率
180 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
4402015
封装
Tray
工作频率
4.4 GHz to 5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CGHV50200F-AMP
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
40
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.4 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D1007UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz PP
50:¥700.0915
100:¥694.3285
参考库存:37207
BFP 540ESD H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.4522
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:18033
AFIC10275NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
500:¥2,127.3945
参考库存:37214
BFU590GX
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:41475
PH3134-9L
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥1,731.5894
参考库存:37221

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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