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射频晶体管

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250	¥623.3306	155832.65

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	21 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	220 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	NI400-2
封装	Tray
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	1.8 GHz to 2.4 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1130969

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MMRF1312HSR5	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312HS/CFM4F///REEL 13	1:¥4,367.6647 5:¥4,300.5088 10:¥4,236.4943 25:¥4,145.0547 50:¥4,081.3566	参考库存:1197
MS1261	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor	1:¥742.8168 5:¥720.2959 10:¥699.1649 25:¥655.4452	参考库存:35328
BFP640FH6327XTSA1	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥3.4578 10:¥2.9041 100:¥1.7628 1,000:¥1.3673 3,000:¥1.1639	参考库存:48389
QPD1011SR	Qorvo	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 7W 50V GaN	1:¥345.78 25:¥307.36 100:¥268.94 200:¥245.888	参考库存:35335
AFT09MP055GNR1	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4G	1:¥160.9798 10:¥147.9961 25:¥141.4647 100:¥125.0232 500:¥107.9602	参考库存:35340