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射频晶体管
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HFA3127BZ96

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MILEL
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2,500
¥40.4201
101050.25
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
HFA3127
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.065 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Quint
封装 / 箱体
SOIC-Narrow-16
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 2 V
高度
1.5 mm
长度
10 mm
工作频率
8000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
4 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
8000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.065 A
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
140 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ARF1505
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,510.0642
2:¥1,473.7121
5:¥1,452.1178
10:¥1,431.5292
参考库存:3574
2731-100M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Transistor
20:¥2,608.492
参考库存:37665
MRF555T
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥45.4147
10:¥37.1883
25:¥33.0412
50:¥29.7416
参考库存:4061
AFT18S260W31GSR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT18S260W31GS/CFM4///REEL 13 Q2 NDP
250:¥912.8592
参考库存:37672
AGR18030EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
1:¥457.198
5:¥419.5464
10:¥376.516
25:¥333.4856
参考库存:37677

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