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射频晶体管
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A3G18H500-04SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G18H500-04S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
250
¥1,060.6971
265174.275
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
200 mA
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
15.4 dB
输出功率
107 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4L
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935351522128
单位重量
3.306 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBTH10RG
ON Semiconductor / Fairchild
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
1:¥2.9154
10:¥1.921
100:¥0.82264
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:50728
D2230UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz SE
100:¥251.9561
250:¥247.6508
参考库存:37614
VRF161MP
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥858.6079
2:¥831.9512
5:¥831.7139
10:¥804.899
参考库存:3495
PXAC241002FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥597.1259
参考库存:37621
QPA9842EVB-01
Qorvo
射频晶体管
射频开发工具 3.4-3.8 GHz .25W Eval Board
暂无价格
参考库存:37626

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