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射频晶体管
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MMBTH10RG

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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥1.921
19.21
100
¥0.82264
82.264
1,000
¥0.63732
637.32
3,000
¥0.48364
1450.92
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MMBTH10RG
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
0.045 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
40 V
直流电流增益 hFE 最大值
120
高度
0.93 mm
长度
2.92 mm
工作频率
450 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
增益带宽产品fT
450 MHz (Min)
最大直流电集电极电流
0.05 A
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPA9807EVB-01
Qorvo
射频晶体管
射频开发工具 2.3-2.7 GHz .25W Eval Board
暂无价格
参考库存:38620
BFP 840FESD H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:18436
PD85006L-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
1:¥69.6984
10:¥63.0088
25:¥60.0934
100:¥52.1721
3,000:¥38.1149
参考库存:4973
PTRA083818NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥738.2064
参考库存:38629
HFA3096BZ96
Renesas / Intersil
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N
1:¥62.4664
10:¥56.4774
25:¥53.8671
100:¥46.7142
2,500:¥34.1147
参考库存:12965

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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