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射频晶体管
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D2012UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz SE
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数量单价合计
1
¥579.2945
579.2945
10
¥511.5284
5115.284
25
¥453.9662
11349.155
50
¥406.5627
20328.135
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DP
配置
Single
高度
5.08 mm
长度
18.92 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.35 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
42 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T26H300-24SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H300-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,132.5425
5:¥1,107.2644
10:¥1,084.6757
25:¥1,068.6184
150:¥1,006.6831
参考库存:40105
TGF2955
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm
暂无价格
参考库存:40110
MMRF1022HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1022HS/CFM6F///REEL 13
1:¥1,646.297
5:¥1,609.572
10:¥1,576.5986
25:¥1,553.3206
50:¥1,496.9223
参考库存:40115
STAC1214-250
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250W 36V 1200-1400 MHz LDMOS TRANSISTOR
15:¥1,219.2926
30:¥1,202.2409
参考库存:40120
A2T18S260W12NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,369.2097
参考库存:40125

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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