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射频晶体管
MRF6V13250HSR5参考图片

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MRF6V13250HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
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数量单价合计
1
¥2,209.2291
2209.2291
5
¥2,175.2613
10876.3065
10
¥2,142.9094
21429.094
25
¥2,096.6585
52416.4625
50
¥2,064.4648
103223.24
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
120 V
增益
20 dB
输出功率
230 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.3 GHz
系列
MRF6V13250H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
476 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
零件号别名
935323152178
单位重量
4.763 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP 405F H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:19139
MRF151G
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,315.1166
10:¥1,273.0128
25:¥1,230.9768
50:¥994.7729
参考库存:4701
CGHV14250F
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
1:¥2,673.4896
参考库存:3703
D1023UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-28V-175MHz SE
50:¥541.948
100:¥526.9642
参考库存:37839
PD54003-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
1:¥81.5295
10:¥74.919
25:¥71.8454
100:¥63.3139
参考库存:5705

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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