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射频晶体管
MRF6V12250HR5参考图片

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MRF6V12250HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H
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数量单价合计
1
¥1,834.4759
1834.4759
5
¥1,795.7508
8978.754
10
¥1,756.9466
17569.466
50
¥1,756.9466
87847.33
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
20.3 dB
输出功率
27.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.96 GHz to 1.215 GHz
系列
MRF6V12250H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
零件号别名
935310098178
单位重量
6.425 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
1:¥1,926.6839
5:¥1,883.7326
10:¥1,845.1544
25:¥1,817.9553
50:¥1,751.952
参考库存:38941
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W MILEL
1:¥73.0771
10:¥66.0824
25:¥63.0088
100:¥54.7146
2,500:¥39.9568
参考库存:38946
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥1,880.3539
25:¥1,854.6125
50:¥1,727.4423
参考库存:38951
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 36V 1030-1090 MHz LDMOS TRANSISTOR
1:¥1,281.2279
5:¥1,250.345
10:¥1,219.2926
25:¥1,202.2409
参考库存:4842
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC
500:¥197.0946
参考库存:38958
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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