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射频晶体管
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2N2857/TR

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库存：39,782(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥125.8594
12585.94
200
¥114.7176
22943.52
500
¥107.35
53675
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
否
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
40 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-72-4
封装
Reel
商标
Microchip / Microsemi
最大直流电集电极电流
40 mA
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PH2729-110M
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥2,633.1486
2:¥2,560.3088
5:¥2,501.6844
10:¥2,428.6073
参考库存:6098
MRF8P9300HSR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS
150:¥1,610.4873
参考库存:40199
D2254UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-1GHz PP
100:¥228.373
参考库存:40204
PXFC192207FH-V3-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥823.8039
参考库存:40209
D2031UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-28V-1GHz SE
100:¥422.0098
参考库存:40214

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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