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射频晶体管
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MRF557

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库存:4,443(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.578
34.578
10
¥28.815
288.15
25
¥25.8996
647.49
50
¥23.052
1152.6
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
400 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
317D-02
封装
Tray
工作频率
800 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S160-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥687.944
参考库存:40388
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS TRNSTR 2110-2200 MHz 87W30V
150:¥911.0964
参考库存:40393
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KH/CFM4F///REEL 13
1:¥4,136.139
5:¥4,072.52
10:¥4,011.8955
25:¥3,925.3714
50:¥3,865.052
参考库存:40398
射频晶体管
光学传感器开发工具 J-ARRAY 3MM 8X8 BOB
1:¥3,587.0494
参考库存:6284
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS
1:¥22.4418
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.6786
1,000:¥10.5316
参考库存:60751
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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