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射频晶体管
2SC5551AF-TD-E参考图片

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2SC5551AF-TD-E

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz
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64.523
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¥4.9607
496.07
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2192.2
1,000
¥3.4578
3457.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
2SC5551A
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
300 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PCP-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
Pd-功率耗散
1.3 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
51.150 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T18H455W23NR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H455W23N/FM6F///REEL 13
150:¥1,042.1086
参考库存:39900
MRFE6VP61K25GNR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V
150:¥1,033.5771
参考库存:39905
MRF8P20140WHSR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4
250:¥700.0124
参考库存:39910
D1022UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 100W-28V-500MHz PP
50:¥986.7047
参考库存:39915
1214-370M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥3,251.0213
参考库存:39920

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    50万现货SKU

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