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射频晶体管
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TGF2120

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz
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数量单价合计
100
¥112.1864
11218.64
300
¥104.8866
31465.98
500
¥97.971
48985.5
1,000
¥91.5978
91597.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
11 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 12 V
Id-连续漏极电流
194 mA
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.2 W
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
产品
RF JFET
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
464 mS
P1dB - 压缩点
31 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098613
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D2211UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-7.2V-1GHz SE
100:¥503.6862
参考库存:35862
MRF8S9120NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2
1:¥410.5516
5:¥398.6414
10:¥390.1212
25:¥373.6684
250:¥331.3386
参考库存:2303
BFU530VL
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.9379
20,000:¥0.89157
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:35869
MRF151
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥488.7024
10:¥464.2718
25:¥439.8299
50:¥415.3993
100:¥316.5808
参考库存:35874
PTAC260302FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥500.5335
参考库存:35879

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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