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射频晶体管
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TGF2120

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz
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数量单价合计
100
¥112.1864
11218.64
300
¥104.8866
31465.98
500
¥97.971
48985.5
1,000
¥91.5978
91597.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
11 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 12 V
Id-连续漏极电流
194 mA
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.2 W
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
产品
RF JFET
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
464 mS
P1dB - 压缩点
31 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098613
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD57018TR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥249.0407
5:¥246.4304
10:¥229.6725
25:¥219.3782
600:¥178.1106
参考库存:38166
AGR09045EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:38171
DLP2010EVM-LC
Texas Instruments
射频晶体管
显示开发工具 DLP LIGHTCRAFTER DISPLAY 2010 EVM LC
1:¥4,367.4274
参考库存:4142
CGHV96100F2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
暂无价格
参考库存:38178
PTFB090901FA-V2-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥329.3385
参考库存:38183

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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    物料均可追溯

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