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射频晶体管
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MRF8HP21080HR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4
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数量单价合计
1
¥478.0239
478.0239
5
¥464.0345
2320.1725
10
¥454.1244
4541.244
25
¥435.0726
10876.815
250
¥385.7368
96434.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14.5 dB
输出功率
16 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2.11 GHz to 2.17 GHz
系列
MRF8HP21080H
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
零件号别名
935310794128
单位重量
6.469 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D2219UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-12.5V-1GHz SE
1:¥183.5685
10:¥162.1324
25:¥147.0695
50:¥130.9331
参考库存:39525
MW6S010NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W TO270-2N
1:¥159.7481
10:¥146.9226
25:¥140.3912
100:¥124.0966
500:¥107.1918
参考库存:8466
AFT05MS031NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V
1:¥93.7448
10:¥86.219
25:¥82.377
100:¥72.772
500:¥62.8506
参考库存:9803
SD57045
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
1:¥579.6787
5:¥569.0793
10:¥554.3215
25:¥543.4848
参考库存:5405
TLC6C5716EVM
Texas Instruments
射频晶体管
LED 照明开发工具 TLC6C5716EVM
1:¥1,392.1826
参考库存:5442

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    50万现货SKU

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