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射频晶体管
PTFB213004F-V2-R250参考图片

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PTFB213004F-V2-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:36,499(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,097.7385
274434.625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
增益
18 dB
输出功率
300 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275-6/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann
1:¥139.5437
10:¥128.3228
25:¥123.0231
100:¥108.3444
600:¥96.4342
参考库存:36757
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2G22S190-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥726.8273
参考库存:36762
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6
1:¥877.9761
5:¥860.9131
10:¥832.4823
25:¥797.2941
50:¥786.2992
参考库存:36767
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
50:¥2,375.5086
参考库存:36772
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W
1:¥837.782
5:¥821.4987
10:¥794.3674
25:¥760.7951
50:¥750.3426
参考库存:36777
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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