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射频晶体管
CGHV59350F参考图片

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CGHV59350F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11 dB
Vds-漏源极击穿电压
125 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
输出功率
450 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
高度
5.03 mm
长度
24.26 mm
工作频率
5900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
产品
C-Band Radar HEMT
宽度
23.01 mm
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
15
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TPR175
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
50:¥994.0045
参考库存:38357
JAN2N2857UB/TR
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
100:¥453.8984
200:¥428.5412
参考库存:38362
MMRF1016HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1016H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,730.9792
5:¥1,692.401
10:¥1,657.7439
25:¥1,633.3133
50:¥1,573.9883
参考库存:38367
ARF466AG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:4298
BFP 450 H6433
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
10,000:¥1.8419
参考库存:38374

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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