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射频晶体管
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MRF422

  • MACOM
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  • 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
20 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
211-11
封装
Tray
工作频率
30 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
MACOM
最大直流电集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
290 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A3T18H400W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,065.9968
5:¥1,045.024
10:¥996.3097
25:¥975.4047
100:¥926.6113
150:¥861.9866
参考库存:39828
2SC5108-Y,LF
Toshiba
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-frequency Bipolar Transistor
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.3786
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.84524
参考库存:14929
MMRF2010NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
500:¥1,983.0144
参考库存:39835
2731GN-200M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥4,744.5649
参考库存:39840
A3G35H100-04SR3
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G35H100-04S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥381.2846
参考库存:39845

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    50万现货SKU

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