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射频晶体管
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D1203UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 30W-12.5V-175MHz SE
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
30 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DM
配置
Single
高度
6.6 mm
长度
24.76 mm
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
12.7 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
117 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A3T21H360W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H360W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥894.1125
5:¥877.671
10:¥838.1662
25:¥810.1987
100:¥754.4106
150:¥691.334
参考库存:40246
CGHV60040D
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
10:¥301.0546
参考库存:7112
MRF7S24250N-3STG
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF7S24250N-3STG/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:40253
MMRF1304NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V
1:¥222.0676
5:¥212.2366
10:¥204.7786
25:¥178.7321
500:¥154.1433
参考库存:8599
AFG24S100HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFG24S100H/CFM2F///REEL 13 Q2 NDP
50:¥2,575.1344
参考库存:40260

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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