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射频晶体管
UF28100V参考图片

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UF28100V

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
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数量单价合计
1
¥1,137.9213
1137.9213
2
¥1,118.9486
2237.8972
5
¥1,100.5748
5502.874
10
¥1,082.8338
10828.338
25
¥1,043.7923
26094.8075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
744A-01
封装
Tray
配置
Dual
工作频率
100 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
正向跨导 - 最小值
1.5 S
Pd-功率耗散
250 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
6 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 29dB 30MHz STAC N-Ch RF FET
1:¥836.0192
5:¥820.6512
10:¥783.6889
25:¥757.5633
参考库存:38520
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ 310W NI1230-4GS
150:¥1,030.3453
参考库存:38525
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB
1:¥1,844.16
25:¥1,664.3544
参考库存:4476
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap
1:¥44.6463
10:¥42.1038
25:¥33.6514
50:¥31.9677
2,500:¥21.5943
参考库存:38532
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥898.1014
10:¥824.109
25:¥739.585
50:¥655.061
参考库存:38537
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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