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射频晶体管
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QPD2730

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
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¥1,272.0862
1272.0862
25
¥1,110.1798
27754.495
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
16 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
48 V
Id-连续漏极电流
210 mA
输出功率
36 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
18.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-4
封装
Waffle
配置
Dual
工作频率
2.575 GHz to 2.635 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.7 V, - 4.75 V
零件号别名
1131813
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFIC31025NR1
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFIC31025N/FM17F///REEL 13 Q2 DP
500:¥271.8554
参考库存:35972
MX0912B351Y
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
1:¥3,510.8196
2:¥3,221.517
5:¥2,891.331
10:¥2,560.693
参考库存:35977
PH3134-20L
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥1,974.0987
30:¥1,902.9426
参考库存:35982
D1040UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET
1:¥1,923.9945
10:¥1,698.9324
25:¥1,541.4104
50:¥1,445.7446
参考库存:35987
AUNA202
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 50 Ohm
1:¥587.826
10:¥539.4168
25:¥484.092
50:¥428.7672
100:¥358.3004
参考库存:35992

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    50万现货SKU

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