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射频晶体管
PD85004参考图片

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PD85004

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR TRANSISTOR
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库存:29,003(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.8148
24.8148
10
¥21.131
211.31
100
¥18.2834
1828.34
250
¥17.3681
4342.025
2,500
¥12.5204
31301
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
4 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85004
类型
RF Power MOSFET
宽度
2.6 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
6 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.56839
参考库存:35166
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,386.1145
2:¥1,352.7682
5:¥1,333.0158
10:¥1,314.1222
参考库存:1082
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
1:¥1,970.2567
5:¥1,926.2997
10:¥1,886.9644
25:¥1,859.0647
50:¥1,791.5246
参考库存:35173
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5
1:¥103.4289
10:¥95.0556
25:¥90.8972
100:¥80.2978
1,000:¥63.619
参考库存:5714
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥548.8636
参考库存:35180
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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