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射频晶体管
PXAC182002FC-V1-R250参考图片

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PXAC182002FC-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存：38,987(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥658.5979
164649.475
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
增益
16.5 dB
输出功率
180 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T27S020GNR1
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T27S020GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
1:¥201.479
5:¥198.4054
10:¥185.7946
25:¥167.0479
500:¥144.075
参考库存:39188
MRFE6VP5600-225
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP5600-225
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:39193
MRFE6VP5600-434
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP5600-434
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:39198
MCH4016-TL-H
ON Semiconductor
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 HIGH-FREQUENCY TR
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:17514
PXAC213308FV-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,036.2665
参考库存:39205

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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