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射频晶体管
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SD1492

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库存:37,885(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,877.8114
1877.8114
10
¥1,723.137
17231.37
25
¥1,546.405
38660.125
50
¥1,369.673
68483.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
25 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M175
封装
Tray
工作频率
860 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
310 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G18H500-04S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥1,060.6971
参考库存:39745
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.89157
20,000:¥0.82264
50,000:¥0.791
100,000:¥0.76049
参考库存:39750
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TRANS MED FREQ
1:¥2.9945
10:¥2.2261
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
10,000:¥0.72998
参考库存:55536
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz PP
1:¥711.3802
10:¥628.167
25:¥557.4742
50:¥499.234
参考库存:5993
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET
18:¥4,072.52
参考库存:39759
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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