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射频晶体管
A3G22H400-04SR3参考图片

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A3G22H400-04SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V
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250
¥983.3938
245848.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
GaN
Id-连续漏极电流
29.7 mA
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
15.3 dB
输出功率
79 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Reel
工作频率
1800 MHz to 2200 MHz
系列
A3G22H400
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935370222128
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTFB193404F-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,281.0019
参考库存:37190
D5011UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-50V-500MHz SE
1:¥243.2777
10:¥214.8469
25:¥194.9476
50:¥173.5793
参考库存:37195
BFP 183 E7764
Infineon Technologies
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射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.6442
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:75476
PD85035STR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥254.1822
5:¥251.5719
10:¥234.4411
25:¥223.9095
600:¥181.8057
参考库存:37202
D1007UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz PP
50:¥700.0915
100:¥694.3285
参考库存:37207

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