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射频晶体管
BFP 183 E7764参考图片

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BFP 183 E7764

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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库存：75,476(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.6442
26.442
100
¥0.99892
99.892
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP183
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.065 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 15 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
8000 MHz
最大直流电集电极电流
65 mA
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP183E7764HTSA1 BFP183E7764XT SP000011018
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT18S230-12NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805--1880 MHz, 50 W AVG., 28 V
250:¥847.5452
参考库存:38912
MRFE6VP6300-230
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6300-230
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:38917
MRF6V12500HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS
50:¥2,720.9835
参考库存:38922
BFS20,215
Nexperia
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TRANS MED FREQ
1:¥2.9945
10:¥2.2261
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.78422
参考库存:34188
SMK9130A3
IDT
射频晶体管
射频开发工具 BEAMFORMING DEVELOPMENT KIT
暂无价格
参考库存:38929

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    50万现货SKU

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