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射频晶体管
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D2015UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-500MHz SE
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-171-6
配置
Single
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
29 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF448
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥865.8286
10:¥836.9458
25:¥808.1308
50:¥779.2367
100:¥747.7323
参考库存:39558
MRF1513NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5
1:¥81.9928
10:¥74.0715
25:¥64.6247
100:¥61.3929
1,000:¥45.1774
参考库存:9974
MRF6V14300HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V
1:¥2,312.4207
5:¥2,276.8483
10:¥2,242.9596
25:¥2,194.5504
50:¥2,160.8199
参考库存:39565
PTAB182002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥714.0696
参考库存:39570
SD1477
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:39575

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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