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射频晶体管
BFU660F,115参考图片

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BFU660F,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
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库存:42,617(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5256
35.256
100
¥2.147
214.7
1,000
¥1.6724
1672.4
3,000
¥1.4238
4271.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
5.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
30 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343F
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
21 GHz
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934064611115
单位重量
6.665 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.6838
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:79789
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
1:¥45.7989
10:¥36.8041
100:¥33.5836
250:¥30.2727
1,000:¥22.8938
参考库存:5291
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-500MHz SE
50:¥495.1547
100:¥489.4708
参考库存:35372
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.1527
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:28713
射频晶体管
射频开发工具 RFDA0057 EVB Sample Kit
暂无价格
参考库存:35379
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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