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射频晶体管
MAX2601ESA+参考图片

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MAX2601ESA+

  • Maxim Integrated
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap
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库存:4,345(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.4198
34.4198
25
¥27.0522
676.305
50
¥23.3571
1167.855
250
¥22.8938
5723.45
1,000
¥20.7468
20746.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Maxim Integrated
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MAX2601
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
17 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.3 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube
高度
1.58 mm
长度
4.98 mm
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
类型
RF Bipolar Power
宽度
3.99 mm
商标
Maxim Integrated
最大直流电集电极电流
1.2 A
Pd-功率耗散
6.4 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
MAX2601
单位重量
540 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥751.111
10:¥689.2548
25:¥618.562
50:¥547.8692
参考库存:5097
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF HIP NI1230-4L2L
150:¥1,174.2734
参考库存:39233
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:53669
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT27S012N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
1:¥126.0967
10:¥115.9493
25:¥111.192
100:¥97.971
1,000:¥79.9136
参考库存:39240
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
暂无价格
参考库存:39245
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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