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射频晶体管
QPD1016参考图片

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QPD1016

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, DC-1.7 GHz, GaN RF Transistor
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¥4,425.984
4425.984
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
23.9 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
145 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V to 1.5 V
Id-连续漏极电流
70 A
输出功率
680 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
714 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-2
配置
Single
工作频率
DC to 1.7 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1016EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥571.5314
10:¥524.433
25:¥470.645
50:¥416.857
参考库存:6709
射频晶体管
光学传感器开发工具 J-SERIES 6MM 35U SMA
1:¥3,089.1262
参考库存:6751
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥2.7685
10:¥2.2261
100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.62263
参考库存:30528
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥779.5418
2:¥755.4163
5:¥755.179
10:¥730.8275
参考库存:6770
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.1527
10:¥2.6103
100:¥1.6159
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.07576
参考库存:27982
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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