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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	21.8 dB
晶体管极性	N-Channel
Id-连续漏极电流	1.7 A
输出功率	178 W
最大漏极/栅极电压	65 V
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	67 W
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	DFN-6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
应用	Military Radar, Jammers,Test Instrumentation,Wideband or Narrowband Amplifiers,Land Mobile and Military Radio Communications
配置	Single Triple Drain
工作频率	1.2 GHz to 2.7 GHz
商标	Qorvo
开发套件	QPD1013EVB01
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	100
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BFQ790H6327XTSA1	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS	1:¥15.8313 10:¥13.447 100:¥10.7576 500:¥9.4468 1,000:¥7.8422	参考库存:47941
SKY68011-31EK1	Skyworks Solutions, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频开发工具 Evaluation Board	暂无价格	参考库存:36567
2SC5551AF-TD-E	ON Semiconductor	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz	1:¥7.6049 10:¥6.4523 100:¥4.9607 500:¥4.3844 1,000:¥3.4578	参考库存:31943
BFU730F,115	NXP Semiconductors	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS	1:¥3.4578 10:¥2.825 100:¥1.7176 1,000:¥1.3334 3,000:¥1.1413	参考库存:13920
BFP540FESDH6327XTSA1	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥4.3844 10:¥3.6386 100:¥2.2261 1,000:¥1.7176 3,000:¥1.4577	参考库存:14512