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射频晶体管
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MRF4427

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库存：39,014(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.578
34.578
10
¥28.815
288.15
25
¥25.8996
647.49
50
¥23.052
1152.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
400 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Bulk
工作频率
200 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
1.5 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
540 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VRF154FL
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥2,042.4863
2:¥1,993.3087
5:¥1,964.1095
10:¥1,936.368
参考库存:5836
MRF7S15100HSR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S
250:¥830.3353
参考库存:39852
MDS70
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
50:¥1,245.9606
参考库存:39857
D1020UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-175MHz SE
1:¥1,610.3404
10:¥1,416.003
25:¥1,286.4598
50:¥1,129.0847
参考库存:39862
D1016UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz PP
1:¥814.5831
10:¥716.307
25:¥636.6985
50:¥571.1472
参考库存:39867

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    物料均可追溯

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