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射频晶体管
RFM08U9X(TE12L,Q)参考图片

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RFM08U9X(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 5A 20W 36V
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¥27.8206
27820.6
2,000
¥27.1991
54398.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
36 V
增益
11.7 dB
输出功率
7.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
RFM08
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRFE6VP5600HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
1:¥1,431.5292
5:¥1,399.6406
10:¥1,370.9838
25:¥1,350.7681
50:¥1,301.6696
参考库存:3854
PTFC260202FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥414.936
参考库存:37800
SD57030-01
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
1:¥437.4456
5:¥427.6146
10:¥410.9358
25:¥397.647
参考库存:3916
SS9018GBU
ON Semiconductor / Fairchild
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN/30V/50mA
1:¥1.6159
10:¥1.08367
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
参考库存:133623
D2007UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-400MHz SE
100:¥300.5235
250:¥293.4497
参考库存:37809

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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