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射频晶体管
MAGX-000040-0050TP参考图片

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MAGX-000040-0050TP

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC
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库存:38,958(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥197.0946
98547.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
13.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
0.3 A
输出功率
5 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 95 C
Pd-功率耗散
12 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
封装
Reel
工作频率
4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 95 C
类型
GaN SiC HEMT
商标
MACOM
正向跨导 - 最小值
0.1 S
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz
1:¥14.4414
10:¥12.9837
25:¥11.3678
100:¥10.4525
3,000:¥6.6444
参考库存:32643
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 120W-28V-175HMz SE
50:¥851.6132
100:¥828.1092
参考库存:36784
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 Watt
1:¥522.6702
10:¥494.4654
25:¥480.4082
50:¥473.3344
参考库存:2945
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4
1:¥145.3858
10:¥133.6225
25:¥127.7126
100:¥112.8757
500:¥97.5077
参考库存:36791
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT
1:¥2,663.9637
参考库存:2862
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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