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射频晶体管
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D1006UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 120W-28V-175HMz SE
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¥851.6132
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100
¥828.1092
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
14 dB
输出功率
120 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DV
配置
Single
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
220 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD84002
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR transistor LdmoST plastic fam
1:¥32.8152
10:¥27.8884
100:¥24.1255
250:¥22.8938
2,500:¥16.5206
参考库存:15153
D2005UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-28V- 1GHz SE
50:¥416.9361
参考库存:38329
BFS483H6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.9155
10:¥4.1132
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
3,000:¥2.1244
参考库存:49270
MRF171A
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
1:¥250.0351
10:¥242.7353
参考库存:5082
MMRF1020-04GNR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
250:¥1,688.2539
参考库存:38338

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