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射频晶体管
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LET9045

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
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库存:36,002(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥386.7312
386.7312
5
¥378.0528
1890.264
10
¥363.295
3632.95
25
¥351.543
8788.575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
技术
Si
增益
18.5 dB
输出功率
45 W
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
工作频率
1 GHz
系列
LET9045
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
10:¥675.2654
25:¥649.7613
50:¥641.0038
100:¥587.1367
参考库存:38982
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥658.5979
参考库存:38987
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V
250:¥700.0124
参考库存:38992
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1314HS/CFM4F///REEL 13
50:¥3,779.1494
参考库存:38997
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm
暂无价格
参考库存:39002
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    50万现货SKU

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