HFA3134IHZ96原装正品_库存数量_PDF手册

射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Renesas Electronics
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	HFA3134
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min	48
集电极—发射极最大电压 VCEO	11 V
发射极 - 基极电压 VEBO	4.5 V
集电极连续电流	0.026 A
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
配置	Dual
封装 / 箱体	SOT-23
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	12 V
直流电流增益 hFE 最大值	48 at 10 mA at 2 V, 48 at 1 mA at 2 V, 48 at 0.1 mA at 2 V, 48 at 10 mA at 5 V, 48 at 1 mA at 5 V, 48 at 0.1 mA at 5 V
高度	1.15 mm
长度	2.9 mm
工作频率	8500 MHz (Typ)
类型	RF Bipolar Small Signal
宽度	1.6 mm
商标	Renesas / Intersil
增益带宽产品fT	8500 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流	0.026 A
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	18 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
AFT23H200-4S2LR6	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L	150:¥732.127	参考库存:35542
BLF177	Advanced Semiconductor, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	1:¥737.664 10:¥614.72 25:¥553.248 50:¥491.776	参考库存:1878
CGH40010F	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt	1:¥429.3774	参考库存:4085
T1G2028536-FS	Qorvo	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN	1:¥3,903.472 25:¥3,597.4228	参考库存:1537
NSVF4009SG4T1G	ON Semiconductor	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G	1:¥3.6838 10:¥3.0623 100:¥1.8645 1,000:¥1.4464 3,000:¥1.2317	参考库存:20259