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射频晶体管
BFP 540ESD H6327参考图片

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BFP 540ESD H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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库存：18,033(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.2939
229.39
1,000
¥1.7628
1762.8
3,000
¥1.5029
4508.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP540
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1 V
集电极连续电流
80 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
170
工作频率
30 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
30 GHz
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP540ESDH6327XTSA1 BFP54ESDH6327XT SP000745298
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NESG270034-EV09-AZ
CEL
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 For NESG270034-AZ
1:¥1,056.55
参考库存:40678
BFR 740L3RH E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
1:¥6.5314
10:¥5.4692
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
15,000:¥2.2035
参考库存:89394
A2T21S260-12SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥1,170.0472
参考库存:40685
TGF3021-SM
Qorvo
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TGF3021-SM, 25W CW DC-3GHz 32V GaN Trans
1:¥1,046.8659
25:¥905.4012
100:¥783.0787
参考库存:6601
NESG3032M14-EVNF24
Renesas Electronics
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp and Oscillator
暂无价格
参考库存:40692

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