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射频晶体管
BF 2040 E6814参考图片

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BF 2040 E6814

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V
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1
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3.3787
10
¥2.4295
24.295
100
¥1.11418
111.418
1,000
¥0.86106
861.06
3,000
¥0.72998
2189.94
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 mA
Vds-漏源极击穿电压
8 V
增益
23 dB
输出功率
200 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Gate
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
BF2040
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
37 mS
通道模式
Depletion
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
零件号别名
BF2040E6814HTSA1 BF24E6814XT SP000012215
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTRA097008NB-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
250:¥1,018.13
参考库存:36533
3321
Adafruit
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显示开发工具 Adafruit Mini Color TFT with Joystick FeatherWing
1:¥191.7158
参考库存:3054
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1:¥1,078.6754
2:¥1,048.866
5:¥1,024.8196
10:¥994.9198
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AFT05MP075NR1
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1:¥150.3013
10:¥138.1538
25:¥132.0857
50:¥124.4017
500:¥100.8186
参考库存:4123
CG2H40120F
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 28V DC-4.0GHz 120W
100:¥2,165.8145
参考库存:36544

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    50万现货SKU

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