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射频晶体管
BFP 405 H6327参考图片

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BFP 405 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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库存:6,632(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.599
25.99
100
¥1.582
158.2
1,000
¥1.2204
1220.4
3,000
¥1.04525
3135.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP405
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.5 V
集电极连续电流
25 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
12 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
25 mA
Pd-功率耗散
75 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP405H6327XTSA1 BFP45H6327XT SP000745254
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥3,251.0213
参考库存:39920
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:39925
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T08VD020N/HQFN24///REEL 13 Q2 DP
1,000:¥185.7946
参考库存:39930
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-400MHz PP
50:¥1,194.5569
参考库存:39935
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥292.4553
10:¥283.3136
25:¥272.782
50:¥267.019
参考库存:39940
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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