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射频晶体管
MRF8P20165WHR3参考图片

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MRF8P20165WHR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4
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库存:35,997(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥811.9728
202993.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
16.3 dB
输出功率
28 W
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.88 GHz to 2.025 GHz
系列
MRF8P20165WH
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935314476128
单位重量
6.447 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥548.8636
参考库存:35180
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.0736
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:29146
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,036.2665
参考库存:35187
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥668.508
10:¥557.09
25:¥501.381
50:¥445.672
参考库存:35192
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans N-Ch 50V 100MHz FET
1:¥848.3136
5:¥832.7196
10:¥795.2149
25:¥768.7051
参考库存:1283
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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