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射频晶体管
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STAC1011-350

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 36V 1030-1090 MHz LDMOS TRANSISTOR
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1
¥1,281.2279
1281.2279
5
¥1,250.345
6251.725
10
¥1,219.2926
12192.926
25
¥1,202.2409
30056.0225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 uA
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
15 dB
输出功率
350 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
STAC265B-3
封装
Tube
工作频率
1.03 GHz to 1.09 GHz
系列
STAC1011-350
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
1.44 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
90
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MICROFC-SMA-60035-GEVB
ON Semiconductor
射频晶体管
光学传感器开发工具 C-SERIES 6MM 35U SMA
1:¥2,535.8782
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PD55003L-E
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1:¥70.3086
10:¥63.2348
25:¥57.63
50:¥53.7089
3,000:¥34.7362
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BFP 405 H6740
Infineon Technologies
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1:¥3.5369
10:¥2.9945
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1,000:¥1.4012
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PD85025-E
STMicroelectronics
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥220.0675
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NPT1010B
MACOM
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2:¥1,193.0201
5:¥1,173.4259
10:¥1,154.4419
25:¥1,112.8692
参考库存:40839

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