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射频晶体管
BFS 483 H6327参考图片

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BFS 483 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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库存：14,825(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.1132
41.132
100
¥2.6555
265.55
1,000
¥2.1244
2124.4
3,000
¥2.1244
6373.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFS483
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
65 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
8 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
65 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFS483H6327XT BFS483H6327XTSA1 SP000750464
单位重量
6 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF24301HSR5
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24301HS/CFM2F///REEL 13
50:¥664.892
100:¥618.336
参考库存:36164
2N5643
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥576.30
10:¥480.25
25:¥432.225
50:¥384.20
参考库存:2110
BFR380L3E6327XTMA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.2487
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
15,000:¥0.5763
参考库存:227032
3SK293(TE85L,F)
Toshiba
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V
1:¥4.1471
10:¥2.7572
100:¥1.5481
1,000:¥1.12209
3,000:¥0.96841
参考库存:27024
AFT18S230SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8GHZ 230W NI780S-6
250:¥714.838
参考库存:36175

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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