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射频晶体管
PXAC201202FC-V2-R0参考图片

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PXAC201202FC-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:35,906(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥512.6019
25630.095
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
240 mA
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
增益
16.5 dB
输出功率
120 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
1800 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
2.69 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
光学传感器开发工具 C-SERIES 1MM 10U SMA
1:¥1,392.725
参考库存:2901
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 55 W AVG. 28 V
250:¥759.2583
参考库存:37007
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
50:¥825.4198
100:¥795.4522
参考库存:37012
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥4.1471
10:¥3.4352
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:113228
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1316N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
500:¥507.5282
参考库存:37019
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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