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射频晶体管

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MMRF1008HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V
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2121.1682
5
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10442.9515
10
¥2,057.4701
20574.701
25
¥2,013.0498
50326.245
50
¥1,982.1669
99108.345
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装
Reel
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
零件号别名
935311734178
单位重量
4.763 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRFE6S9125NBR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
500:¥487.3238
参考库存:36208
DSC9G02D0L
Panasonic
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 1.6x1.6mm Flat lead
6,000:¥0.33787
9,000:¥0.28476
24,000:¥0.26894
参考库存:36213
LET9060
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
400:¥340.3221
参考库存:36218
MRF8S18210WHSR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 55W
250:¥774.6263
参考库存:36223
AGR18125EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 125Watt Gain 13.5dB
10:¥874.055
30:¥774.163
50:¥699.244
100:¥674.271
参考库存:36228

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