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射频晶体管
2SC5086-Y,LF参考图片

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2SC5086-Y,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.0792
20.792
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.84524
845.24
3,000
¥0.72998
2189.94
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
2SC5086
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-75-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
240 at 20 mA at 10 V
商标
Toshiba
增益带宽产品fT
7 GHz
最大直流电集电极电流
80 mA
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PH1214-25M
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥1,619.7081
参考库存:5952
AFT27S010NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-3.6GHz 1.26W
1:¥123.5542
10:¥113.565
25:¥108.5704
100:¥95.9709
1,000:¥75.9925
参考库存:20574
PTFC270051M-V2-R1K
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1,000:¥60.2403
参考库存:40060
AGR19180EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
10:¥968.184
30:¥857.5344
50:¥774.5472
100:¥746.8848
参考库存:40065
STAC4932F
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:40070

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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