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射频晶体管

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MHT1008NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1008N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
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数量单价合计
1
¥123.4073
123.4073
10
¥113.4972
1134.972
25
¥108.4235
2710.5875
100
¥95.824
9582.4
1,000
¥75.9134
75913.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
154 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.6 dB
输出功率
12.5 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5W
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
2.45 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
48.1 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
零件号别名
935320685515
单位重量
280 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
1:¥2,069.9114
10:¥2,037.7968
参考库存:2714
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
10:¥1,347.3894
参考库存:36810
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
9,000:¥0.84524
24,000:¥0.77631
45,000:¥0.7458
99,000:¥0.71416
参考库存:36815
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:15241
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
1:¥3.6838
10:¥2.7685
100:¥1.5029
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
参考库存:24528
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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