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射频晶体管
2SK3075(TE12L,Q)参考图片

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2SK3075(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
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数量单价合计
1
¥51.641
51.641
10
¥41.4936
414.936
100
¥37.8776
3787.76
250
¥34.1938
8548.45
1,000
¥25.8205
25820.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
30 V
增益
11.7 dB
输出功率
7.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
2SK3075
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
单位重量
300 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MHE1003NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHE1003N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
250:¥977.9472
参考库存:40438
MMRF1314HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1314H/CFM4F///REEL 13
50:¥3,771.8496
参考库存:40443
T2G6000528-Q3
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
1:¥617.7936
25:¥522.8962
100:¥442.5984
参考库存:6589
MRFE6VP6300GSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1.8-600 MHz 300 W 50 V
50:¥733.9802
100:¥682.6443
参考库存:40450
PTFB183404F-V2-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥1,281.0019
50:¥1,281.0019
参考库存:40455

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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