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射频晶体管
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QPD1014SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 15W 50V GaN
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数量单价合计
1
¥445.672
445.672
25
¥391.884
9797.1
100
¥345.78
34578
200
¥315.044
63008.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18.4 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
1 A
输出功率
12.5 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
15.8 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
30 MHz to 1200 MHz
系列
QPD1014
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
QPD1014EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
QPD1014
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CGH40006S
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
1:¥211.1518
200:¥211.1518
参考库存:8323
3135GN-100M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥3,262.4004
参考库存:40379
MRF6V2010NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2N
1:¥194.1001
5:¥185.5686
10:¥179.0372
25:¥156.2112
500:¥134.7751
参考库存:13695
BF 771 E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
1:¥3.616
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:34572
A2T21S160-12SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S160-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥687.944
参考库存:40388

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    50万现货SKU

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