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射频晶体管
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D2031UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-28V-1GHz SE
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
7.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
F-0127-8
配置
Single
高度
2.31 mm
长度
6.5 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.5 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.5 V to 7 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF136
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB
1:¥188.032
10:¥184.3369
参考库存:6567
MRF448
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥865.8286
10:¥836.9458
25:¥808.1308
50:¥779.2367
100:¥747.7323
参考库存:39558
MRF1513NT1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5
1:¥81.9928
10:¥74.0715
25:¥64.6247
100:¥61.3929
1,000:¥45.1774
参考库存:9974
MRF6V14300HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V
1:¥2,312.4207
5:¥2,276.8483
10:¥2,242.9596
25:¥2,194.5504
50:¥2,160.8199
参考库存:39565
PTAB182002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥714.0696
参考库存:39570

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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